▼ 테스 투자자 필독 REPORT
[필독] 장비 매출 다변화의 시작 : 테스(095610) - PECVD, LPCVD, Gas Phase Etch, Cleaning
▼ 테스 투자자 필독 REPORT 사상 최대 실적 발표, 주가는 멈췄스 : 테스(095610) - PECVD, LPCVD, Gas Phase Etch, Cleaning ※ 테스의 기술력은 대통령이 보증한다. 1. 메모리 투자 사이클의 최대 수혜주 TES! -.
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사상 최대 실적 발표, 주가는 멈췄스 : 테스(095610) - PECVD, LPCVD, Gas Phase Etch, Cleaning
※ 테스의 기술력은 대통령이 보증한다. 1. 메모리 투자 사이클의 최대 수혜주 TES! -. 테스는 반도체 제조에 필요한 전공정 장비(PECVD, LPCVD, Gas Phase Etch&Cleaning 등) 제조를 주된 사업으로 영위하고
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테스 - 이제는 가야합니다 (느낌이블로그)
안녕하세요 느낌이입니다.
최근 거의 모든 반도체 주식들이 상승하고 있는 상황이죠.
물론 반도체 각 섹터마다 반등의 폭은 다르며, 심지어 아직도 바닥을 기어다니는 주식도 있습니다.
구체적으로 전공정 장비 및 소재 섹터가 비교적으로 반등폭이 낮은 상황인데요.
그 중, 대한민국 대표 반도체 장비주인 테스에 대해 매수근거와 기업분석을 진행해보려고 합니다.
먼저 NH투자증권에서 나온 기업 분석 리포트 하나 읽어보고 시작하죠.
하반기부터 투자 재개 (NH투자증권 : 도현우)
2023년 하반기부터 투자 회복
테스에 대한 투자의견 Buy를 유지하고 목표주가는 기존 20,000원에서 28,000원으로 상향 조정. 목표주가 상향은 2023년 하반기 이후 메모리 반도체 업황 개선으로 고객사 투자가 회복된다는 가정을 반영. 테스 실적은 NAND 신규 투자와 관련성이 높음. 2021년 180K, 2022년 110K를 기록한 업계의 NAND 신규 Capa 투자는 2023년 50K로 감소 예상. 업황 회복과 함께 2024년에는 다시 120K 수준으로 회복될 것으로 전망(기존 전망 2024년 85K, 2025년 130K, 신규 전망 2024년 120K, 2025년 170K)
반도체 업황 부진으로 인한 고객사의 신규 Capa 투자 축소 및 지연으로 2023년 상반기 실적은 부진. 1Q23 매출액 510억원(-32% q-q), 영업이익 51억원(-40% q-q), 순이익 34억원(-37% q-q)을 기록할 것으로 예상. 삼성전자 P3 라인 DRAM, NAND 신규 투자 매출이 인식. SK하이닉스 관련 매출은 크게 감소
파운드리로 포트폴리오 확장
전방위적 메모리 업체의 감산 및 투자 축소로 인해 3Q23부터 메모리 수급이 개선될 것으로 예상. 업황 개선 이후 투자 재개로 4Q23 이후 테스를 비롯한 메모리 장비 업체의 수주가 회복될 것으로 전망. 특히 현재 업황이 극히 부진한 NAND 투자 증가가 가파를 것으로 보임. 이는 ACL 등 NAND 장비 비중이 높은 테스에 긍정적.
메모리에 편중된 장비 포트폴리오를 파운드리로 확장하고 있는 점도 긍정적. 파운드리향 BSD(Back Side Deposition), GPE(Gas Phase Etching) 장비를 개발 중. 현재 퀄 진행 중이고 올해 하반기부터 매출이 본격화될 것으로 보임. 주요 고객사인 삼성전자가 메모리와 달리 TSMC와의 격차를 줄이기 위해 장기적으로 파운드리 향 투자를 늘리고 있다는 점이 모멘텀.
반도체, 아직 어려운 시기인데 추가 증설이 가능할까?
1) 현재 업계에서는 지난해부터 이어진 반도체 한파가 조만간 끝날 조짐이며, 국내 반도체 기업 대부분이 2Q까지 적자를 보일 전망이지만 3Q 부터는 실적 반등이 발생할 것으로 예상됨.
2) 이는 최근 발표한 국내 3분기 반도체 수출산업경기전망지수가 128.5p로 2분기 대비 76.5p 급등했기 때문이며, 주요 업종 중 가장 큰 폭으로 상승한 수치임.
3) 또한 근 1년간 DRAM과 NAND의 가격이 80% 하락해 원가 수준까지 도달했으며, 따라서 3분기에는 가격 하락폭이 축소되고 4분기 부터 DRAM, NAND 가격이 각각 전분기 대비 9%, 4% 상승할 것으로 예상됨.
4) 결국 올해 하반기 재고 조정 이후 적자 폭이 줄어들면서 내년에는 공급망 정상화가 가능하며, 삼성전자와 SK하이닉스는 미래 HBM 수요에 대비해 올 하반기부터는 기존 계획대로 증설을 진행할 것임.
5) 최근 삼성전자는 정부의 국가첨단전략산업 특화단지 지정과 관련해 세계 최대 반도체 메가클러스터를 성공적으로 조성하겠다고 언급했었음.
6) 정부는 반도체 특화단지를 용인·평택과 구미에 지정했으며, 반도체를 포함한 이차전지 디스플레이의 총 7개 산단에는 2042년까지 총 614조원의 민간투자가 이뤄질 계획임.
7) 특화단지는 반도체 생태계 안에 있는 기업들을 한 클러스터로 모아놓은 형태이며, 정부의 정책적 지원을 포함하여 기업 간 시너지를 극대화할 수 있다는 장점이 있음.
8) 앞서 언급한 삼성전자의 반도체 메가클러스터 투자는 용인 남사읍 일원 215만평 부지에 2042년까지 300조원을 투자하여 5개 이상 반도체 펩을 순차적으로 건설할 계획임.
9) 이는 150여개 국내외 우수 소부장, 팹리스, 연구소와 함께 반도체 밸류체인을 조성해 기흥·화성·평택 등 기존 거점들과 통합된 최첨단 반도체 메가클러스터를 계획하고 있는 것임.
10) 현재 초거대 AI 시대가 본격적으로 열리고 GPU와 HBM 등 고성능 반도체 수요가 증가하면서, 투자 계획이 더욱 탄력을 받을 것으로 예상됨.
11) 실제 SK하이닉스도 HBM 판매량 증가로 인한 투자 및 증설을 다각도로 검토하고 있으며, 청주 M15 팹 일부에 TSV 라인 증설 등 다양한 방안을 놓고 검토 중임.
12) 현재 SK하이닉스는 DRAM을 경기도 이천 팹에서 대부분 생산하고 있으나, 이천 팹의 경우 후공정 TSV 라인 증설을 위한 공간 확보가 어렵기 때문임.
13) 더불어 SK하이닉스도 마찬가지로 약 120조 원을 투자해 용인 반도체클러스터에 4개의 반도체 제조공장을 새로 건설할 계획이며, 오는 2027년 상반기에 첫 번째 반도체 제조공장이 가동될 것으로 예상됨.
14) 따라서 당장 반도체 업황이 힘들어도 글로벌 반도체 기업들의 증설 계획이 백지화 된 것은 아니며, 이후 반도체 업사이클과 맞물려서 추가 증설 속도는 더욱 빨라질 것으로 예상됨.
어플라이드 머티리얼즈도 뛰어드는 HBM 장비
1) 최근 글로벌 반도체 장비회사인 어플라이드머티어리얼즈(AMAT)가 반도체 이종집적 기술의 핵심 장비를 여러대 출시했음.
2) 이종집적은 서로 다른 반도체를 결합하여 칩 제품 성능을 끌어올리는 것으로 최근 급부상한 고대역폭메모리(HBM) 등 2.5D 및 3D 반도체를 만드는 핵심기술임.
3) 이종집적 핵심 기술은 저항이 작은 구리로 반도체 칩 또는 웨이퍼를 서로 연결하는 하이브리드 본딩과 반도체 칩에 미세한 구멍을 뚫어 전극으로 연결하는 TSV임.
3) 어플라이드가 이번에 출시한 장비는 인세프라 SiCN 증착 시스템, 카탈리스트 CMP 솔루션, 프로듀서 인비아 2 CVD 시스템, 엔듀라 벤튜라 2 PVD 시스템, 프로듀서 아빌라 PECVD 시스템 등 5종임.
4) 어플라이드의 하이브리드 본딩 신규 장비 중 인세프리아 SiCN은 증착 장비이며, 웨이퍼를 서로 넓은 면적에 안정적으로 연결되도록 구리 대신 실리콘탄소질화물(SiCN)을 사용함.
5) 또한 카탈리스트 CMP 솔루션은 결합되는 구리 표면 강도를 떨어트리는 에어갭을 최소화할 수 있는 장비이며, 프로듀서 인비아 2 CVD는 특수 증착 기술을 활용해 ALD보다 높은 생산성을 가지고 있음.
6) 그리고 엔듀라 벤튜라 2 PVD 시스템과 프로듀서 아빌라 PECVD는 금속 TSV 와이어 증착 제어를 향상시키고 초저온에서 고속으로 TSV 품질을 향상시킬 수 있다는 장점이 있음.
6) 결론적으로 어플라이드의 TSV 분야 신규 장비는 웨이퍼 당 TSV 공정 비용을 절감할 수 있다는 차별점이 있으며, 이러한 신규 장비 출시는 3D 반도체 시장 성장에 대응하기 위한 목적임.
7) 이는 최근 HBM 등 반도체를 수직으로 쌓는 수요가 늘어나면서 하이브리드 본딩과 TSV 장비를 도입하려는 반도체 제조사들이 늘었기 때문임.
8) 또한 시스템 반도체에서도 칩렛 등 반도체 칩끼리 서로 연결하는 움직임이 빨라지면서 이종집적을 위한 반도체 장비가 각광받고 있는 상황임.
9) 이러한 점을 미루어 봤을 때, 향후 반도체 장비업체들은 HBM 관련 기술의 차별화 포인트가 존재하는지에 따라 시장에서 받게될 벨류가 달라질 것으로 예상됨.
기술력 대비 저평가 받고 있는 반도체 장비업체
1) 테스는 2002년 설립된 반도체 제조용 전공정 장비 회사로 주요 제품은 PECVD 장비와 Gas Phase Etch & Cleaning 장비가 있음.
2) 동사는 2004년에 DRAM 및 NAND향 HT Nit PECVD 장비를 개발했었으며, 2006년에는 60nm 공정의 8인치 웨이퍼용 ACL PECVD 장비 개발에 성공했던 이력이 있음.
3) 또한 2007년 60nm 공정의 12인치 웨이퍼용 ACL PECVD 장비를 개발했으며, 2010년에는 반도체 장비 HF Dry Etcher의 양산을 시작하여 2011년 하이브리드 Gas Phase Etcher 장비까지 양산에 성공함.
4) 현재 동사의 전체 매출 중 삼성전자 향 NAND 제조 장비의 비중이 제일 높은데, 이는 동사의 하드마스크 증착 장비가 3D NAND의 핵심 공정인 홀 에칭에 적용되기 때문임.
5) 테스는 현재 반도체 장비 향 매출이 전체 비중의 95% 이며, 이 중 NAND 60%, DRAM 39%의 비중을 가지고 있고 디스플레이 장비 향 매출 비중은 5% 이하로 사실상 대부분의 매출은 반도체에서 발생되고 있음.
6) 앞서 언급했던 동사의 PECVD 중 주력 장비는 ACL을 증착하는 장비로 현재 반도체 Hard Mask 증착에 사용되고 있으며, 3D NAND의 고단화로 인해 NAND에서 활용도가 높은 상황임.
7) 또한 동사의 ARC 장비는 노광 공정에서 발생할 수 있는 난반사를 방지하기 위한 막 형성에 사용되며, DRAM 향 비중이 상대적으로 높음.
8) 동사의 신규 장비로는 BSD와 DRAM 향 Low-k 장비가 있으며, BSD 장비는 Wafer Warpage 현상을 방지하기 위한 막 형성에 사용되는 장비임.
9) 또한 동사는 최근 신규 플라즈마 세정장비에 대한 고객사 퀄테스트를 통과한 것으로 알려져있으며, 플라즈마 세정장비는 지금까지 해외 대형 장비기업들이 주도해왔었음.
10) 테스의 플라즈마를 활용한 세정장비는 웨이퍼 위의 불필요한 잔류물을 제거하는 세정장비로 건식 세정장비에 해당하며, 포토레지스트 및 절연막 등을 제거하는 데 활용됨.
11) 동사의 플라즈마 세정장비는 SiCN(탄화규소 질산화막) 물질을 제거하는데 쓰이며, 동사가 해당 장비를 개발한 이유는 SiCN 세정 수요가 증가할 것이라는 판단 때문임.
12) 실제로 SiCN은 반도체 제조에 필수적으로 활용되는 Low-k 절연막의 한 종류이며, 현재 Low-k 물질은 칩의 집적도가 급격히 높아지면서 수요도 함께 증가하는 추세임.
13) 동사의 신규 플라즈마 세정장비가 당장 고객사의 양산 팹에 도입되기는 어려울 전망이나, 해당 장비는 어플라이드머티어리얼즈가 독과점하고 있는 상황이라 침투할 수 있는 시장은 넓음.
낸드의 업황 회복과 파운드리 향 장비 공급 가시화
1) 테스는 낸드 및 파운드리 향 신규장비의 국산화에 성공하면서 향후 삼성전자의 평택3, 평택4, 테일러 및 SK하이닉스의 M15, M16 투자 수혜를 볼 것으로 예상됨.
2) 테스는 현재 삼성전자 평택3 공장으로의 신규 장비 공급과 SK하이닉스로의 공정 전환용 장비에 대한 매출이 발생하고 있는 상황임.
3) 최근 테스의 NAND 부문의 경우 그 동안 램리서치가 독점해오던 BSD 장비 국산화에 성공했으며, 파운드리 향으로는 PECVD와 GPE, BSD 장비 국산화의 성공을 예상함.
4) 동사는 그 동안 전량 수입에 의존됐던 메모리 향 Low-k PECVD 장비의 국산화에도 성공하면서, 향후 DRAM 업황 회복에 따른 수혜의 강도가 높아질 것임.
5) 최근 NAND의 업황 회복이 가시화되고 있으며, 2024년부터는 동사의 파운드리 향 장비 공급이 시작되면서 테일러 투자에 대한 수혜도 더해질 것으로 기대됨.
6) 이번 NAND의 업사이클에서는 유동성이 풍부한 삼성전자가 서버향 eSSD의 수요 증가분을 독식할 것으로 예상되며, 이에 맞춰 테스는 BSD 등 신규 장비 국산화를 통해 큰 폭의 실적 성장세를 보일 것임.
7) 또한 최근 테스는 시스템반도체 시장에대대적인 추가 투자를 시작하고 있으며, 약 636억원을 투입해 연구개발(R&D) 시설을 확충한다고 공시를 통해 밝혔음.
8) 이는 기존 R&D센터 공간 부족으로 클린룸 확장이 필요한 만큼 건물 규모를 2배 이상 넓힐 예정이며, 신규 R&D 시설이 들어서는 곳은 본사가 위치한 경기 용인시 처인구 양지면임.
9) 테스는 신규 시설에서 주력 제품인 PECVD 장비와 건식 식각 장비인 GPE 설비 등의 R&D 역량 강화에 나설 예정으로, 로직 분야로 장비 공급 범위를 넓히기 위해 파운드리 향 BSD, Low-k 장비 개발에도 속도를 낼 계획임.
10) 반도체 기업에서 R&D 역량 강화는 필수적이며, 시설 투자의 경우 정부의 지원으로 세액공제 혜택이 더 늘어난 측면이 있는 만큼 이번 시설 투자는 당연하면서 현명했던 판단이었음.
11) 결국 테스는 636억 원 규모의 신규 시설 투자로 기존 메모리 관련 장비뿐 아니라 시스템반도체 관련 장비의 경쟁력도 대폭 강화될 것으로 판단됨.
단기 실적 부진 우려로 인한 주가 조정은 비중 확대의 기회
1) 테스의 2Q23 영업이익 컨센서스는 71억원으로 전분기 대비 영업흑자 전환이 예상되고 있으며, 테스의 2Q23 매출액 컨센서스는 614억원(+69%QoQ)임.
2) 삼성전자 평택 3공장 향 반도체 장비의 매출 인식이 진행되면서, 전 분기 대비 매출액 증가 및 수익성 개선을 이룰 것으로 예상되며, 반도체 파츠 부문의 실적도 저점을 통과한 것으로 판단됨.
3) 사업 부문별 매출액은 반도체 603억원(+79%QoQ), 디스플레이 11억원(-58%QoQ)을 전망하고 있으며, 3Q23 영업이익 컨센서스는 50억원임.
4) 이는 전분기 및 전년 동기 대비 감소한 수치인데 삼성전자향 반도체 장비 수주 금액의 잔여분이 있지만, 그 규모는 전 분기 대비 감소할 것이라는 판단임.
5) 다만 올 상반기 내내 부진했던 전공정 장비의 수주가 반도체 업황 회복을 기반으로 다시 재개될 것이기 때문에 분기 실적 부진 보다는 향후 발생 될 신규 수주 규모에 집중해야함.
6) 테스는 중장기적으로 반도체 장비 국산화 모멘텀에 주목해야하는 종목이며, 향후 용인 및 미국 테일러에서 발생될 글로벌 반도체 기업들의 CapEx 확대 수혜를 기억해야함.
7) 이는 앞서 계속 언급했듯 과거 대비 동사의 수혜가 더욱 커질 것으로 예상되기 때문이며, 특히 파운드리 향 PECVD, GPE, BSD 등의 공급이 가시화 될 것임.
8) 따라서 기존 메모리에 국한됐던 동사의 전방 시장이 파운드리로 확대되기 시작할 것이며, 올 하반기 삼성전자의 전공 정 반도체 장비 투자와 함께 실적 반등세가 시작될 것임.
9) 메모리 및 파운드리 향 포트폴리오를 모두 보유하고 있으면서, 국내 글로벌 반도체 기업들의 CapEx 확대 수혜를 모두 받을 수 있는 동사의 기술력이 반도체 전공정 장비 섹터 중 테스에 대한 투자 아이디어임.
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