반도체 후공정 장비주의 반란 : 이오테크닉스(039030) 기업분석 - Laser Marker, Laser Cutting, Laser Drill, Laser Stealth Dicing

 

 

 

 

▼ 이오테크닉스 투자자 필독 REPORT

[필독] 내실을 다져가는 중, 구조적 성장은 2024년 : 이오테크닉스(039030) - 목표주가 100,000(New)

지금까지 E렇게 O지는 기업은 없었다 : 이오테크닉스(039030) - Laser Marker, Laser Cutting, Laser Drill, Laser

 

 

 

이오테크닉스 - 반도체 후공정 장비주의 반란 (느낌이블로그)

 

 

 

안녕하세요 느낌이입니다.
  
근 몇달 동안 HBM 관련주들의 급격한 주가 상승으로 지금 당장 매수하기에는 부담스러운 가격대까지 왔습니다.

 

결국 조정이 오고 눌림목이 형성되는 시점에 진입을 시도해봐야 하는데, 이 모든 과정은 기업에 대한 이해와 분석이 되어있어야 가능한 부분입니다.

 

따라서 과거부터 트래킹 하고 있었던 이오테크닉스에 대해 2023년 버전으로 매수근거와 기업분석을 진행해보려고 합니다.  

먼저 하이투자증권에서 나온 기업 분석 리포트 하나 읽어보고 시작하죠.

 

당분간 실적 부진. 단 성장성은 여전 (하이투자증권 : 송명섭)

3Q23 까지는 부진한 실적이 이어질 듯
이오테크닉스의 2Q23 매출과 영업이익은 전분기와 유사한 845 억원과 100 억원 (OPM 11.8%)를 기록할 것으로 예상된다. 1Q23 과 마찬가지로 이익률이 높은 주력 제품 및 관련 부품/소재 매출 비중이 낮은 수준을 유지한 것으로 보인다. 전년 동기 대비 부진한 실적은 3Q23 까지 이어지다 4Q23 부터 반도체 업황 회복, Laser Cutting 장비 수주 증가, 8.6 세대 라인발 디스플레이 장비 수주 등에 따라 실적 개선이 시작될 것으로 판단된다. 동사 올해 매출과 영업이익은 전년 대비 각각 18%, 42% 감소하는 3,669 억원과 537 억원을 기록할 것으로 전망되며, 이는 당사의 기존 전망치 대비 매출은 3%, 영업이익은 21% 하향 조정된 것이다.


성장성은 여전
실적 부진에도 불구하고 동사의 성장성은 여전한 것으로 판단된다. 동사 Annealing 장비의 실적은 최대 고객사의 공정 전환과 반도체 업황 회복에 더해, 자체 Laser 소스 채택에 따른 장비 가격 및 이익률 상승에 따라 내년부터 상승세가 재개될 전망이다. 또한 올해 말에는 OSAT 업체들과 국내 최대 고객사로부터 Grooving, Stealth Dicing 등 Laser Cutting 장비의 수주가 증가할 것으로 기대된다. UV Driller 의 수주 역시 내년 상반기에 주요 국내 고객사들로부터 발주가 본격화될 것으로 보인다. 그간 매출 정체 상태에 있던 디스플레이 장비 부문에서도 고객사들의 8.6 세대 투자가 시작됨에 따라, 내년에는 올해 대비 35% 가량의 매출 증가가 예상된다. 동사 장비들의 성장성 유지에 따라 내년 매출과 영업이익은 올해 대비 각각 27%, 67% 증가하는 4,644 억원과 896 억원을 달성할 것으로 추정된다.


HBM 수혜는 아직 미미하나 향후 증가 가능
부진한 실적에도 불구하고 동사 주가가 최근 크게 상승한 것은 반도체 업황 회복 전망과 함께 동사의 UV Driller 가 HBM 성장에 따른 수혜를 입을 수 있다는 기대 때문인 것으로 보인다. 동사 UV Driller 가 HBM 용 Silicon Interposer 의 Hole 을 형성하는데 사용되기 시작했으나, 매출 규모가 극히 적은 것을 감안 시 그 수혜는 아직 미미한 것으로 추정된다. 단 동사는 현재 최대 식각장비 업체가 독점 중인 HBM 용 TSV Hole 형성 장비를 개발 중에 있으며, 성공 시 2025 년부터는 국산화에 따른 매출 발생을 기대할 수 있을 것으로 판단된다.


매수 투자의견 유지. 목표주가 상향
올해 실적 둔화에도 불구하고 내년 실적 개선 및 반도체 업황 회복 전망을 반영하여, 동사에 대한 매수 투자의견을 유지하고 목표주가를 기존의 11 만원에서 13.6 만원으로 상향한다. 신규 목표주가 13.6만원은 동사 올해 예상 BPS에 동사의 역사적 중간 P/B 배수 2.5배와 연간 고점 P/B 배수들의 평균 값인 3.5 배의 중간 배수 (3.0 배)를 적용하여 도출한 것이다. 반도체 업황 회복이 가시화되고 있으므로, 향후 동사 목표주가 계산을 위해 역사적 중간 배수보다는 높은 배수의 적용이 필요하다. 만약 내년 반도체 업황의 강한 회복이 확실해질 경우, 동사 목표주가 도출을 위해 고점 P/B 배수인 3.5 배의 적용도 가능할 것이다.

 

 

 

매년 커지는 HBM 시장, 왜 SK하이닉스에 집중되는가?

 

1) 현재 삼성전자, SK하이닉스 그리고 마이크론 모두가  향후 먹거리로 낙점한 고대역폭메모리(HBM) 시장을 선점하기 위해 치열한 경쟁을 벌이고 있음.

 

2) 최근 메모리반도체 불황 속에서도 HBM은 SK하이닉스의 2Q23 DRAM 매출을 지탱할 수 있게해준 숨은 공신이었으며, 동사의 HBM 양산능력과 기술력은 현재 글로벌 선두에 있음.

 

3) HBM은 DRAM 여러 개를 수직으로 쌓아 성능을 높이는 동시에 소비전력을 대폭 줄인 반도체로 SK하이닉스가 지난 2013년 HBM을 처음으로 선보였으며, 2021년 4세대 HBM3를 공개하는 등 기술 개발을 주도해 왔었음.

 

4) 참고로 반도체 업계는 1세대 HBM을 【HBM】으로 명시한 뒤, 기술 개발에 따라 HBM2(2세대), HBM2E(3세대), HBM3(4세대), HBM3E(5세대)로 명명함.

 

5) SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 1세대 HBM을 개발하며 쌓아온 노하우 및 공정 경험으로 지금까지 업계를 선도하고 있으며, 현재까지 삼성전자는 후발주자인 상황임.

 

6) 또한 SK하이닉스는 신공정이 적용된 HBM의 생산능력을 전 세계에서 가장 크게 보유하고 있으며,  이는 매년 50% 이상의 HBM 시장 성장도 커버할 수 있는 수준임.

 

7) 이러한 SK하이닉스의 HBM 생산능력은 엔비디아를 비롯한  글로벌 반도체 기업뿐만 아니라 향후 수요처인 클라우드 기업까지 대응 가능할 것으로 예상됨.

8) SK하이닉스는 올해 HBM 생산능력 확대를 위해 10㎚ 3세대 DRAM 생산 비중 확대를 계획하고 있으며, 내년 상반기 공급 예정인 HBM3E(5세대)를 위한 10㎚ 5세대(1b) DRAM과 TSV 캐파 확보를 준비하고 있음.

 

 

 

 

HBM 공정 기술의 차별화 포인트는?

1) 앞서 언급한 SK하이닉스의 차별화된 HBM 경쟁력은 DRAM을 적층하는 기술인 실리콘관통전극(TSV) 공정에서 나오며, TSV 공정에서 발생하는 열을 어떻게 억제하느냐가 노하우임.

 

2) TSV는 수직으로 쌓은 DRAM에 1024개 구멍을 뚫고 전기 신호가 오가는 길을 만드는 기술이며, 쉽게말해 고층 빌딩에 전자가 이동할 수 있는 수직 엘리베이터를 형성하는 공정임.

 

3) HBM3는 DRAM을 12층까지 쌓는데 이때 쌓인 DRAM 칩의 전체 높이가 GPU보다 낮아야하며, 이를 위해 웨이퍼를 종이처럼 얇게 갈아냄.

 

4) 얇아진 웨이퍼에 크랙 없이 구멍을 뚫어야 하므로 TSV는 난이도 매우 높은 공정이며, TSV 공정 장비의 정밀한 기술력 또한 매우 중요함.

 

 

5) SK하이닉스 HBM의 또 다른 핵심 기술은 DRAM을 적층할 때 진행되는 매스리플로우-몰디드언더필(MR-MUF) 공정으로, 이는 수직으로 DRAM을 쌓으며 사이 공간을 특수 소재로 채워서 붙여주는 공정임.

 

6) SK하이닉스는 3세대 HBM 부터 이 기술을 채택하기 시작했으며, 기존 비전도성접착필름(NCF) 공정 대비 열전도율을 높이는 동시에 공정도 단순화하여 생산 효율까지 개선됨.

 

7) 마지막 핵심은 하이브리드 본딩 기술로 솔더볼이나 범프가 아닌 구리 연결을 통해 IO를 늘리는 반도체 본딩 기술이며, 전공정 기술들이 많이 들어가기 때문에 OSAT에서는 양산하기 쉽지 않은 공정임.

8) 보통 HBM 성능을 향상하려면 DRAM 층수를 높이고 미세 홀을 더 많이 뚫으면 되지만, 4세대 HBM3는 DRAM을 12층까지 쌓기 때문에 층수를 더 높이기가 쉽지 않음.

 

9) 열 압착으로 칩을 붙일 때 사용하는 마이크로솔더볼이 25㎛ 정도까지 가까워지면 녹아서 달라붙기 때문이며, 따라서 솔더볼이 없는 하이브리드 본딩으로 옮겨가는 추세임.

 

10) SK하이닉스는 하이브리드 본딩으로 가더라도 열 압착 방식을 함께 쓸 것으로 예상되며, 삼성전자는 HBM4부터 하이브리드 본딩을 도입할 것으로 예상됨.

 

 

 

 

그렇다면, 삼성전자는 HBM 시장에서 도태되었나?

1) 삼성전자는 현재 자체적인 공정 기술력으로 HBM 시장 확대에 대응하고 있으며, HBM3 8단과 12단 제품을 주요 AI 반도체 기업과 클라우드 업체에 출하하기 시작했음.

 

2) 또한 삼성전자는 5세대 제품인 HBM3E(=HBM3P)에 대해서는 SK하이닉스와 비슷한 시점인 올해 하반기 출시를 준비하고 있음.

 

 

3) 그러나 삼성전자는 SK하이닉스와 달리 HBM3에도 NCF 공정을 적용하고 있으며, NCF 소재를 새롭게 개발해 현재 양산 중인 HBM3 제품에 적용하고 있는 상황임.

 

4) 앞서 말했듯 NCF 공정은 DRAM을 적층하는 사이 공간에 특수 필름을 까는 기술로, 삼성전자는 독자 개발한 NCF 공정을 사용하여 적층한 DRAM 간극을 줄이는데 적용하고 있음.

 

5) 추가적으로 적층 공정과 접합 공정을 구분하여 8단 HBM에서도 생산성을 확보했으며, 12단 HBM에서 발생할 수 있는 칩 휘어짐 우려 역시 자체 NCF 공정으로 제어할 수 있다고 삼성전자는 언급했음.

 

6) 향후 삼성전자는 16단 이상의 HBM 제품에서는 NCF 공정 대신 DRAM을 직접 접합하는 신공정을 개발할 계획이며, 이때 삼성전자의 파운드리 기술력이 HBM 시장 점유율을 높이는 데 도움을 줄 것으로 예상됨.

 

 

7) 왜냐하면 HBM4(6세대)부터는 일부 공정이 7㎚ 이하 첨단 파운드리 공정들로 전환될 것이기 때문이며, SK하이닉스는 6세대 HBM 생산을 위해 별도 파운드리 업체를 활용해야함.

 

8) 따라서 삼성전자는 시간이 지날수록 비용과 효율 측면에서 SK하이닉스 대비 우위에 있을 것으로 예상되며, 이는 삼성전자 파운드리 사업부가 가진 이종접합 패키징 기술력이 향후 비용 우위의 핵심임.

 

9) 참고로 HBM은 AI 반도체와 함께 시스템인패키지(SIP) 제품으로 공급되며, 서로 다른 여러 반도체를 하나의 형태로 패키징하여 고객사에 최종 납품됨.

 

10) 현재는 삼성전자와 SK하이닉스가 HBM을 생산하더라도 최종 조립은 엔비디아의 AI 반도체를 생산하는 TSMC가 맡고 있음.

 

11) 향후 삼성전자가 엔비디아의 AI 반도체를 수주한 뒤 SIP 된 HBM까지 전담하게 될 경우 전 과정을 한 번에 처리할 수 있어 생산성을 대폭 높일 수 있게됨.

12) 향후 고객사들은 비용 및 생산성 측면에서 메모리반도체 칩 생산과 시스템인패키징 과정이 통합된 업체에게 Turn-key 방식으로 수주할 것이며, 이때 삼성전자의 강점이 크게 작용할 것으로 예상됨.

 

 

 

 

레이저 장비의 장인 이오테크닉스

 

1) 이오테크닉스는 광(光)산업 중의 핵심으로 간주되고 있는 레이저를 이용하여 반도체, PCB, Display, 휴대폰 산업의 주요 생산 장비를 제조하여 국내외로 공급하고 있음.

 

2) 현재까지는 반도체 생산 장비로서 Laser Marker, Laser Cutter가 주요 사업 아이템이며, 과거부터 지금까지 축적한 Laser 제어기술을 바탕으로 정보통신, PCB 등 산업에 동사의 장비가 공급되고 있음.

 

3) 동사는 지난 1989년 설립 이래 레이저 마킹분야를 시작으로 드릴링, 트리밍, 커팅 등 다양한 레이저 응용분야 진출에 성공했으며, 실적 또한 30여년간 꾸준하게 성장해왔음.

 

4) 그루빙(Grooving) 장비는 웨이퍼 위에 바둑판무늬처럼 선을 그으며 좁은 논두렁 패턴을 만드는데 사용하며, 다이싱(Dicing) 장비는 전체 웨이퍼를 반도체 칩 단위로 잘라내는 장비임.

 

 

5) 또한 이오테크닉스는 LCD 및 OLED 와 관련된 디스플레이 레이저 장비들을 판매하고 있으며, 동사가 판매하는 제품들은 업황 싸이클 영향을 크게 받으나 장기적인 성장세를 유지하고 있음.

 

6) 동사의 반도체용 Laser Marker 점유율은 국내 95%, 해외 60% 내외이며, 이는 고객사 라인에 배치된 장비를 추정한 수치임.

 

7) 과거 반도체 후공정의 마지막 단계에서 한정적으로 필요했던 레이저 장비는 현재 다른 공정에서 더 많이 쓰이고 있는 상황이며, 동사의 레이저 어닐링, 레이저 다이싱, 그루빙 장비의 매출 성장성이 레이저 마킹 장비보다 더 높음.

 

 

 

이오테크닉스는 왜 HBM 수혜주이며, 레이저 다이싱은 무엇인가?

 

1) 반도체 공정의 마지막에서 진행하는 다이싱 공정은 톱이나 레이저를 통해 실리콘 웨이퍼가 개별 칩 또는 다이 단위로 절단될 수 있게 잘라주는 공정임.

 

2) 톱 또는 레이저는 웨이퍼 내 다이싱 레인이라고 하는 칩 사이의 영역을 따라 웨이퍼를 절단하며, 절단된 칩은 웨이퍼에서 분리되어 패키징 공정으로 넘어가게됨.

 

3) 보통 웨이퍼 두께가 100 마이크로미터 이하일 때에는 레이저를 이용한 다이싱 장비의 수요가 더 높으며, 이는 톱으로 웨이퍼를 자르는 블레이드 다이싱의 물리적 한계 때문임.

 

 

4) 레이저 다이싱은 웨이퍼에 기계적 손상 등 기타 물리적 충격이 없다는 장점이 있으며, 이는 HBM과 같이 칩이 적층되어 물리적 응력을 많이 받는 상황에서 절대적으로 유리함.

 

5) 또한 톱으로 자르는 블레이드 다이싱에 비해 레이저 다이싱은 공정 진행 시 부산물 생성이 훨씬 적으며, 블레이드 다이싱 대비 웨이퍼의 파티클 오염으로 부터 유리함.

 

6) 이와같이 레이저 마킹 장비와 다이싱 장비를 납품하는 이오테크닉스는 하이브리드 본딩 공정의 가장 큰 수혜주가 될 것으로 예상되며, 추가적으로 동사는 레이저 광원이 내재화 되어있어 타사대비 원가 절감이 가능함.

 

7) 동사는 아직 개화되지 않은 레이저 다이싱 장비 시장을 미리 점유해 나가고 있는 상황이며, 만약 레이저 다이싱 장비 매출이 가시화 될 경우 동사의 주가는 추가로 퀀텀 점프가 가능할 전망임.

8) 반도체 칩을 2.5D, 3D 방식으로 쌓아서 패키징하는 어드밴스 패키징 방식과 DRAM을 얇게 갈아 여러개 적층하여 만든 HBM 같은 경우, 두께가 얇아진 웨이퍼를 절단하기 위해서는 레이저 다이싱 장비의 사용이 필수적임.

 

9) 향후 반도체 전방 산업에서는 기존 두께보다 훨씬 얇은 웨이퍼(Thin wafer)들이 생산될 것으로 예상되며, 따라서 독점적인 기술력을 가진 이오테크닉스의 장비 공급 기회는 앞으로가 더 많아질 것으로 판단됨.

 

 

 

 

반도체 주식은 고 PER에 사서 저 PER에 팔아라

 

1) 이오테크닉스의 2Q23 매출 및 영업이익 컨센서스 평균은 944억원 및 149억원으로 예상되며, 1Q23 과 마찬가지로 주력 제품 및 관련 부품, 소재 매출 비중이 낮은 수준을 유지할 것임.

 

2) 동사는 3Q23 까지 부진한 실적이 이어지다가 4Q23 부터 반도체 업황 회복, Laser Cutting 장비 수주 증가, 디스플레이 CAPEX 확대에 따른 장비 수주 증가로 실적 개선이 시작될 것으로 예상됨.

 

3) 동사의 올해 매출과 영업이익 컨센서스 평균은 모두 전년 대비 감소한 3,931억원과 655억원을 기록할 것으로 전망하며, 이는 기존 컨센서스 대비 하향된 수준임.

 

4) 그러나 이와같은 실적 부진에도 불구하고 동사의 성장성은 여전한 것으로 판단되며, 동사의 Annealing 장비 실적은 최대 고객사의 공정 전환과 반도체 업황 회복으로 내년부터 상승세가 재개될 전망임.

 

 

5) 또한 동사는 OSAT 업체들과 국내 최대 고객사로부터 Grooving, Stealth Dicing 등 Laser Cutting 장비의 수주가 확대될 것으로 기대되며, UV Driller 역시 내년 상반기부터 고객사 발주가 본격화될 것임.

 

6) 앞서 말한대로 그간 매출 둔화 상태였던 디스플레이 장비 부문에서도 삼성디스플레이의 신규 세대 라인 투자가 시작됨에 따라, 내년에는 올해 대비 30% 이상의 매출 증가가 예상됨.

 

7) 또한 반도체 업황 회복과 함께 동사의 UV Driller 및 레이저 다이싱 장비가 HBM 시장 확대에 따른 수혜를 입을 수 있을 것으로 보임.

 

8) 동사의 UV Driller은 최근 HBM 용 Silicon Interposer 의 Hole 을 형성하는데 사용되기 시작했으나, 아직까지 매출 규모는 작은것으로 판단됨.

 

9) 마지막으로 동사는 현재 최대 식각장비 업체가 독점 중인 HBM 용 TSV Hole 형성 장비를 개발 중에 있으며, 개발 성공 시 국산화에 따른 매출 발생을 기대할 수 있을 것임.