반도체 산업 리포트 : 수급 정상화 속 수혜주 찾기 ②

 

 

 

 

▼ 수급 정상화 속 수혜주 찾기

반도체 산업 리포트 : 수급 정상화 속 수혜주 찾기 ①

반도체 산업 리포트 : 수급 정상화 속 수혜주 찾기 ②

 

 

 

반도체 소재/부품 - 수급 정상화 속 수혜주 찾기 (KB증권 : 유우형)

 

 

 

공급: 수급 개선 + 재고 정상화 = 가동률 회복

 

1) 현재 공급사들의 강도 높은 감산과 Capex 축소가 지속되고 있으며, DRAM ASP는 23년 11월 전 응용처에 걸쳐 큰 반등이 있었음(PC DRAM +11% MoM, 모바일 DRAM +19% MoM, 서버 DRAM +7% MoM).

 

2) 낸드 ASP 역시 23년 12월 +31% YoY 급등하였으며, 재고는 여전히 부담스러운 수준이나 전방수요 회복 및 감산 지속으로 24년 공급자 우위 시장이 형성될 전망임.

 

3) DRAM(1분기), NAND(2분기) 순으로 가동률 회복이 시작되어 하반기 급격한 회복세로 이어질 전망이며, 소재/부품 업체들의 실적 개선 본격화가 예상됨.

 

 

4) 24년 공급업체들의 Capex 투자는 HBM capa 증설 및 선단공정 전환에 집중될 것이며, DRAM Capex는 전년대비 +1% 증가하나 투자액의 상당 부분이 HBM 신규투자에 집중되어 있어 상반기 공급 축소 효과가 클 것임.

 

5) 낸드는 23년 2분기 감산이 본격화된 이후 24년에도 -16%의 추가 감산이 전망되며(23년 Capex -33% YoY), 특히 제품 기준으로 는 재고가 많은 레거시 메모리(DDR4, V6 이하)의 감산이 강할 것으로 예상됨.

 

 

6) 삼성전자는 23년 2분기 컨퍼런스콜을 통해 24년 HBM Capa를 전년대비 +2배 이상 확대한다고 밝혔으며, 24년 49조원으로 추정되는 Capex 투자 중 상당 부분이 HBM Capa 증설에 사용될 것으로 판단됨.

 

7) 한편 SK하이닉스는 24년 10조원의 Capex 투자를 발표했으며, 이 중 DRAM은 6.9조원(+33% YoY)으로 HBM3/HBM3E 생산 확대에 집중할 전망임.

 

8) 다만 레거시 공정의 감산 지속 영향으로 SK하이닉스는 23년에 이어 24년에도 감가상각비 이하의 Capex 집행이 전망되며, 감가상각 이하의 Capex 집행은 2012년 인수 이후 이번이 처음임.

 

 

9) 메모리 공급업체의 Capex 감축은 공급 축소를 의미하며, 이후 전방 수요 회복과 재고 소진을 겪으면서 메모리 가격 (ASP)은 점차 상승하게 되고 이는 실적 회복으로 이어짐.

 

10) 고객사, 공급사의 재고가 정상화되면 공급사는 점차 가동률을 높여 매출을 증대시키며, 이러한 메모리 사이클의 주요 원인은 예측하기 어려운 고객 수요 변화와 반도체의 긴 제조 리드타임에 있음.

 

11) 아이폰의 등장, 금융위기, 미중 무역전쟁, 코로나19 등 예측할 수 없는 사건들은 급격한 IT수요 변화를 가져왔으나, 공급사가 변화하는 수요에 즉각적으로 대응하는 것은 현실적으로 불가능함.

 

12) 생산량 확대를 위해 공장을 짓고 설비를 발주, 양산하는데 2~3년의 시간이 소요되며, 기존 라인을 통한 제조과정 또한 웨이퍼가 투입된 후 고객에게 전달되는데 최소 4~5개월이 소요되므로 결국 수요, 공급의 시차가 사이클을 만듦.

 

 

13) 현재 공급사의 Capex 축소가 하반기 가동률 회복으로 이어질 수 있을지 판단하기 위해선 전방 수요와 더불어 반도체 수급 상황, 각 주체들의 재고 현황을 파악해야함.

 

14) 반도체 수급의 경우 23년 2분기부터 시작된 대규모 감산으로 23년 글로벌 메모리 초과공급률 (Sufficiency ratio)은 DRAM, NAND 각각 -4%, -4%를 기록했음.

 

15) 24년은 서버, 스마트폰, PC 등 주요 응용처의 수요 개선 (+4~9% YoY)과 공급사 Capex 감축 지속으로 수급 불균형이 더욱 심해질 전망임(24E 초과공급률: D램 -4%, 낸드 -9%).

 

16) 이번 공급사 Capex 축소 정책의 근본 원인은 레거시 제품둘 (DDR4, V6 이하)의 높은 재고수준 때문이며, 20년~22년 코로나19로 재택수요가 급증했고 서버, PC 등 관련 IT제품들의 판매량은 정상 수준 대비 +15~17% 증가했었음.

 

17) 이에 고객사와 공급사의 적정 재고 레벨 역시 상승했었으나, 22년 하반기 코로나19 축소와 앞당겨 이루어진 소비자들의 IT제품 구매로 수요는 다시 급감했었음.

 

18) 따라서 업계의 적정재고 수준도 급격히 축소되어 공급사와 고객사 모두 재고가 쌓이기 시작했으며, 결국 23년에 메모리 가격은 급락하였고 낸드의 경우 Cash cost 수준까지 근접했었음.

 

 

19) 현재 메모리 공급사의 재고는 23년 2분기 최고점을 찍은 후 점차 감소 중이며, 24년 1분기 기준 공급사 메모리 재고는 9~10주 수준으로 판단됨.

 

20) 다만 24년 손상처리될 레거시 메모리 재고 수준 (2~3주)을 감안시 2분기 공급사 재고는 적정수준에 가까워질 전망이나, 스마트폰, PC업체들의 24년 1분기 메모리 재고 (4주)는 적정수준 (6주)을 하회하고 있음.

 

21) 서버 고객사 재고 역시 23년 4분기 최고치 이후 점차 감소하고 있으며, 응용처 수요 회복과 공급사의 감산 노력에 힘입어 24년 메모리 ASP는 전년대비 각각 D램 +46%, 낸드 +29% 상승할 전망임. 

 

 

22) 이에 삼성전자 반도체 사업부와 SK하이닉스의 24년 영업이익은 각각 14.3조원 (흑자전환 YoY), 7.6조원 (흑자전환 YoY)을 기록할 전망이며, DRAM의 경우 HBM 매출 비중 지속 확대로 낸드 대비 더욱 빠른 ASP 회복이 기대됨.

 

23) 특히 SK하이닉스는 DDR5 최초 양산을 통한 인텔 사파이어 레피즈향 DDR5 선제 공급, 1anm 양산으로 원가경쟁력 확보, 서버용 고용량 DDR5 모듈 판매 확대에 따른 blended ASP 상승으로 23년 3분기 서버용 DRAM 점유율 1위 (49.6%)를 기록함.

 

24) SK하이닉스는 24년 1분기 AI가속기 대형고객사 HBM3E 제품 첫 공급, 2025년 HBM4 공급 관련 공동 개발 등 서버용 DRAM을 중심으로한 실적 개선세가 더욱 가파를 전망임.

 

 

 

 

반도체 소재/부품: 상저하고 흐름 속 차별적 실적 개선

 

1) 24년 전체 메모리 시장은 상저하고의 실적 흐름을 보일 전망이며, 글로벌 전체 웨이퍼 투입량은 하반기 본격적인 가동률 회복에 힘입어 전년대비 +2.7% 증가할 전망임.

 

2) 더불어 25년 메모리 웨이퍼 투입량은 수급, 재고 정상화 및 전방 수요 성장으로 전년대비 +7.5% 확대될 것으로 예상되며, 특히 반도체 소재/부품 업체들은 하반기로 갈수록 22년에 준하는 높은 실적 회복을 보일 전망임.

 

3) 이는 하반기 메모리 공급사의 가동률 회복과 제품 내 HBM, 선단 공정 (1anm, 1bnm, 236단) 비중 확대에 따른 공정 Step 수 증가로 웨이퍼당 투입되는 소재, 부품의 증가가 예상되기 때문임.

 

4) 24년 메모리 공급사의 Capex 집행 상당수를 차지하는 선단공정 전환, 첨단 패키징, HBM의 수혜를 받는 반도체 소재/부품 종목들에 주목해야할 것으로 판단됨.

 

 

 

 

전공정: 메모리 선단공정 확대에 따른 수혜

 

1) 24년 메모리 업체들의 D램 Capex는 HBM Capa 증설을 위한 신규 투자와 1a/1bnm 전환 투자에 집중될 전망이며, 낸드 역시 주요 고객사들의 200단 이상의 수요 확대로 고단화 낸드 (V7, V8) 중심의 전환 투자가 빠르게 진행될 것임.

 

2) 삼성전자는 화성 15/17라인과 평택 P2 라인 1bnm (DDR5, HBM3E)로의 전환 투자, 평택 P3 라인 1anm (HBM3) 생산능력 (50K → 95K) 확대, 그리고 평택 P4 라인 인프라 투자 (2Q24E 완공 → 3Q24E 가동)가 전망됨.

 

3) SK하이닉스는 우시 C2팹의 1anm 전환 투자, 이천 M10/14/16 라인의 1bnm 공정 전환 및 capa 확대가 예상되며, 낸드를 양산하는 M15 일부를 23년 4분기 HBM 생산라인으로 전환했음.

 

4) 최선단 공정 전환에 따른 일시적 감산, 레거시 제품 중심의 인위적 감산, 그리고 최선단 공정 전환 비중 확대에 따른 기술적 감산 등 공급사의 제품 감산 효과가 반도체 수급 개선을 가속화시킬 전망임.

 

5) DRAM의 최선단 공정인 1bnm는 23년 4분기 점유율 2%에서 24년 4분기 16%로 확대될 전망이며, 낸드의 최선단 공정인 200단 낸드 (V8)의 경우 23년 4분기 점유율 9%에서 24년 4분기 33%로 크게 확대될 것임.

 

 

6) 선단공정 비중 확대로 고용량 메모리 제품 비중도 빠르게 증가할 전망이며, DRAM의 경우 22년 1분기 16Gb 제품 1.1백만개에서 23년 3분기 1.6백만개로 +45% 증가했음.

 

7) 낸드의 경우 1024Gb 제품의 시장 점유율이 22년 25%에서 24년 51%까지 확대될 전망이며, 이러한 선단공정 비중 확대로 DRAM, 낸드의 차별화된 수혜가 기대됨.

 

8) DRAM의 경우 선폭 미세화에 따른 게이트 절연막, 캐패시터향 High-K 물질 적용 확대가 전망되며, 낸드의 경우 미세공정화에 따른 제조 Step 수 증가로 웨이퍼당 투입되는 반도체 소재량의 증가가 예상됨.

 

 

9) DRAM의 집적도가 10nm 초반으로 가까워지면서 작아지는 트렌지스터 크기와 함께 절연막의 면적도 줄어드는데, 절연막의 두께가 일정 수준으로 얇아지면 정전 용량을 높이는 이득보다 누설전류 상승에 따른 손해가 더욱 커짐.

 

10) 이를 해결하기 위해 High-K 물질이 사용되는데, 대표적으로 Zr (지르코늄)과 Hf (하프늄)이 있으며 하프늄의 단가는 지르코늄 대비 2~3배 비쌈.

 

11) SK하이닉스는 LPDDR을 중심으로 1anm D램부터 High-K물질을 게이트 절연막에 적용했으며, 삼성전자의 경우 24년 1bnm D램부터 High-K를 적용할 전망임.

 

12) 특히 하프늄의 경우 일본 공급사의 단독 공급에 의존하고 있는 현 상황에서 공급사 다변화 노력에 따른 국내 업체의 수혜가 기대되며, 글로벌 High-K 시장은 2030년까지 연평균 +9%의 꾸준한 성장이 예상됨.

 

 

13) DRAM의 경우 선단공정으로 전환되더라도 EUV Layer 확대 등에 따라 공정 step 수에 큰 변화가 없어 웨이퍼당 투입되는 소재 확대가 제한적임.

 

14) 그러나 낸드의 경우 고단화될수록 공정 step (과정) 수도 함께 증가하는데, 특히 스택 방식의 변화 (Single Stack, Double Stack, Triple Stack)에서 큰 폭의 Step 수 확대가 발생함.

 

15) 3D 낸드의 원가를 결정하는 요소는 적층 단수이지만, 단수가 높아질수록 종횡비가 커지기 때문에 싱글 스택의 한계가 발생함.

 

16) 결국 낸드 공급사들은 뚫는 공정을 두 번에 나누어 진행하는 더블스택 방식을 적용하고 있는데, 문제는 더블스택 방식을 적용함에 따라 원가 또한 높아지게 됨.

 

17) 동일 적층 단수 기준 싱글스택은 더블스택 대비 20~30% 낮은 원가를 갖는 것으로 추정되며, 마이크론은 64단, SK하이닉스는 72단부터 더블스택을 도입했고 삼성전자는 176단부터 더블스택을 도입했음.

 

18) 메모리 가동률 회복, 낸드 고단화 제품 비중 확대에 따른 투입 소재량 급증으로 해당 소재업체들의 수혜가 예상되며, 특히 25년 양산이 계획된 300단 낸드의 경우 트리플스택 방식이 적용되어 소재량 확대 트렌드는 더욱 가속화될 전망임.

 

19) 이와 더불어 DRAM, 낸드 선단공정 비중 확대에 따른 CMP 공정 수 확대로 관련 기업의 수혜 역시 전망됨.

 

 

 

 

후공정: 미세공정 한계를 뛰어넘는 첨단패키징의 상용화

 

1) 전공정 미세화의 기술적 한계와 천문학적인 비용으로 후공정 첨단패키징 수요가 지속 확대되고 있으며, 22년 상반기 예정되어 있던 TSMC의 3nm 양산시기는 두번의 지연을 통해 23년 하반기 양산됨.

 

2) 파운드리 업체들은 24년~25년 2nm 양산 시기에 맞추어 투자 효율성 증대를 위한 첨단패키징 투자를 본격 확대할 전망이며, 2028년 글로벌 첨단패키징 시장은 790억 달러로 22년 대비 +80%의 시장 성장이 전망됨.

 

3) 특히 칩셋의 이종 접합 (메모리 + GPU 등)을 지원하는 3D, 2.5D 패키징 시장은 같은 기간 +2배 확대될 것으로 예상되며, 24년 첨단패키징 시장 규모 (552억 달러)는 DRAM (650억 달러), 낸드 (589억 달러) 시장과 유사한 수준으로 전망됨.

 

 

4) 주요 파운드리와 OSAT를 중심으로 첨단 패키징 투자가 확대되고 있으며, 인텔은 21년 자사 파운드리 (IFS)에 2,000억 달러의 투자 계획을 발표하였음.

 

5) 특히 인텔은 25년까지 현재의 첨단 패키징 Capa를 +4배 확대할 것을 밝혔으며, 22년 동사의 첨단패키징 관련 투자액은 48억 달러로 전년대비 +37% 확대되었음.

 

6) TSMC 역시 높은 수요 상승세를 보이는 AI 가속기향 2.5D 패키징 기술 CoWoS의 capa 확대 (23E: 120K → 24E: 230K, +92% YoY)에 집중하고 있음.

 

7) 22년 TSMC의 첨단패키징 투자액은 40억 달러로 전년대비 +33% 확대되었으며, 이외에도 파운드리 2위 업체 삼성전자와 글로벌 OSAT 3사 (ASE, Amkor, JCET)를 중심으로 첨단패키징 투자는 지속 확대되고 있음.

 

8) 4nm 이하 선단공정이 가능한 인텔, TSMC, 삼성전자를 중심으로 패키징 투자가 가속화되고 있으며, 각 사들은 하나의 칩에 여러 기능들을 탑재 (SoC)하거나 패키징된 칩셋들의 결합 (P2P)하는 기술을 연구 개발하고 있음.

 

9) 또한 전통적 패키징 기술을 넘어 2개의 서로 다른 칩을 동일한 실리콘에 탑재 (2.5D 패키징)하거나, 칩셋 위에 다른 종류의 칩셋을 통합 (3D 패키징)하는 등 미세화 한계를 극복하기 위한 패키징 기술도 지속 연구 개발하고 있음.

 

 

10) TSMC의 3nm 공정은 1년 이상 지연된 23년 하반기에 출시 됨에 따라 AMD 역시 당초 24년 3nm로 출시 예정이였던 칩셋을 4nm로 하향 조정하였음.

 

11) TSMC의 공정 미세화 지연은 AMD 등 경쟁사의 기술 진보 속도를 늦추고 있으나, 인텔은 칩렛 (Chiplet) 전략을 통해 24년 2nm 공정 최초 도입을 준비하고 있음.

 

12) 과거 인텔의 파운드리 사업은 낮은 수율로 성장이 제한되었으며, 스마트폰 AP 대비 20~30배 큰 PC, 서버 CPU를 이용해 초기 선단공정 수율을 잡는데는 상대적으로 많은 비용과 시간이 소요되었음.

 

13) 큰 칩셋 사이즈에 따른 느린 수율 회복과 높은 비용, 악순환의 반복은 인텔 파운드리 사업의 성장을 막는 장애물이었으나, 21년 새롭게 부임한 인텔 CEO 펫 겔싱어는 자사 CPU에 칩렛 (Chiplet) 기술을 적용할 것을 발표함.

 

14) 칩렛 기술은 CPU를 기존 하나의 칩 (SoC)으로 생산하는 것이 아닌, 각각의 기능들을 타일 형태로 제작한 후 TSV 공정과 3D 패키징 (포베로스)을 통해 결합하는 방식임.

 

15) 이 방식으로 인텔은 스마트폰 AP보다 -30% 작은 크기의 CPU 타일을 선단공정 초기에 생산함으로써 TSMC보다 더욱 빠르게 수율을 높일 수 있게 되었음.

 

16) 더불어 CPU 최대 고객사인 인텔, 즉 자사의 Captive 물량을 통해 안정적인 생산량 확보가 가능해졌으며, CPU를 제외한 GPU, SoC 타일 부분은 TSMC에 수주를 맡기며 유연하게 공급을 조절함.

 

 

17) 이러한 칩렛 (Chiplet) 구조는 23년 12월 출시된 14세대 CPU 메테오 레이크부터 최초로 적용되었으며, 해당 칩셋은 인텔4 (4nm) 기술이 최초로 적용됨.

 

18) 또한 전작 대비 CPU +34%, 그래픽 +50%의 성능 향상을 이루었으며, 칩렛 구조의 단점인 전성비의 하락 역시 3D 패키징 기술인 포베로스의 적용으로 해결하였음.

 

19) 향후 인텔은 3D / 2.5D 패키징기술 적용을 통한 CPU, 파운드리 시장 선점 전략을 지속 확대할 전망임.

 

 

20) 24년 TSMC의 2.5D 패키징 생산능력은 전년대비 +92% 확대될 전망이며, 2.5D 패키징은 엔비디아의 AI 가속기를 제작하는데 필수적임.

 

21) 구조는 HBM과 SoC칩 (GPU)이 인터포저 (실리콘) 위에 실장되며, 인터포저 아래 FC-BGA 기판이 탑재되며 패키징이 완성됨.

 

22) TSMC는 급증하는 AI가속기 수요 (엔비디아 24E A100+H100 판매량 +85% YoY)에 대응하기 위해 첨단패키징 Capa 확대에 집중하고 있으며, 최근 본사가 있는 대만 신주 지역에 3.8조원을 투자하여 새로운 첨단패키징 공장 계획을 발표함.

 

23) 공정 미세화 한계에 따른 첨단패키징 시장 확대로 OSAT와 패키징기판 업체들의 지속적인 실적 성장이 전망되며, 24년 글로벌 Top3 OSAT (ASE, Amkor, JCET)의 24년 매출액은 전년대비 +12% 확대될 것임.

 

24) 또한 글로벌 Top3 패키징 기판 업체 (이비덴, 신코덴키, 유니마이크론)의 24년 매출액 역시 전년대비 +16% 확대될 것으로 예상됨.

 

25) CPU와 GPU, RAM의 이종 통합이 스마트폰을 넘어 PC, 서버 시장으로 지속 확대되고 있다는 점에서 향후 OSAT, 패키징 기판 산업의 빠른 시장 성장이 전망됨.

 

 

 

 

HBM, 고객 맞춤형 메모리의 탄생

 

1) 24년 HBM의 시장 규모는 전년대비 +143% 성장한 13.3조원을 기록할 전망이며, 이는 HBM3E를 탑재한 엔비디아의 신형 AI가속기 H200, B100의 출시와 기존 제품들의 판매 호조 때문임.

 

2) HBM3, HBM3E 매출은 각각 6.5조원, 5.3조원을 기록할 것으로 예상되며, AI의 폭발적인 수요로 엔비디아의 AI가속기 신제품 주기는 스마트폰과 같은 1년 주기로 짧아졌음.

 

3) 이에 맞추어 탑재해야하는 HBM 역시 매년 빠른 성능 개선이 요구되고 있으며, 향후 HBM을 통한 DRAM 메모리 업체들의 멀티플 리레이팅이 전망됨.

 

 

4) 인공지능 학습에 필수적인 AI 가속기 시장은 2021년 19.4조원에서 2031년 431.7조원까지 확대되며 CAGR +39% 성장이 전망됨.

 

5) 현재 AI가속기 시장에서 엔비디아는 압도적인 시장점유율을 유지하고 있으며, 23년 9월 기준 글로벌 6대 클라우드 업체에 탑재된 AI가속기 중 86%가 엔비디아 제품으로 확인됨.

 

6) 특히 이러한 엔비디아의 높은 점유율은 1년 전과 변함이 없었으며, 나머지 점유율은 자체 AI칩셋 또는 AMD의 제품들로 구성됨.

 

7) 업계에서는 향후 2027년 엔비디아의 점유율이 90% 수준까지 상승할 것으로 전망하고 있으며, 이는 칩 자체의 높은 기술력, AI 소프트웨어 ‘CUDA’ 기반의 생태계, 인공지능 학습시 1만개 이상 GPU 동시 사용이 가능한 제품 범용성 때문임.

 

8) 또한 Pytorch, Tensorflow 등 AI 학습용 주요 언어, S/W들의 업데이트를 통해 CPU-GPU 간 통신 병목 현상을 해결한 엔비디아는 경쟁사가 도전하기 어려운 높은 경제적 해자를 이루고 있음.

 

 

9) 엔비디아는 AI 가속기 수요 급증에 따른 매출 확대로 24년 1분기 17.6조원의 영업이익이 전망되며 이는 전년대비 +5.9배 확대된 실적임.

 

10) 특히 엔비디아의 AI가속기 H100은 한 대당 약 3.6만 달러 수준에서 판매되고 있으나, 이 제품의 매출원가는 3,320달러로 약 90%의 매우 높은 마진율을 기록하고 있음.

 

 

11) 24년 엔비디아는 H200 (6개의 HBM3E가 탑재)과 B100 (8개의 HBM3E가 탑재) 출시를 발표했으며, CPU (ARM 코어 기반 Grace 칩)와 GPU를 하나의 패키지로 결합한 슈퍼칩 GH200 역시 최초로 출시할 계획임.

 

12) GH200은 AWS에 최초로 도입되어 12적층 24GB 용량의 HBM3E가 총 6개 탑재될 예정이며, 최근 엔비디아는 GH200의 LLM 추론 성능이 기존 방식 (x86 CPU와 H100을 연결)보다 +4.5배 효율적이라 밝혔음.

 

13) 현재 AI서버는 일반서버 대비 DRAM 탑재량 +2.5배 확대, HBM이 신규 탑재되고 있으며, 25년 출시될 Future AI서버는 기존 AI서버 대비 D램 (+67%)과 HBM (+80%, HBM4)의 탑재량이 크게 확대될 전망임.

 

14) SSD 탑재량 역시 기존 AI서버 대비 +2배 확대될 전망이며, 향후 GPU 자체의 학습 속도 향상뿐만 아니라 CPU (업무의 효율적 분배와 분석) 및 서버용 메모리의 성능 개선 역시 중요해질 전망임.

 

 

15) 글로벌 메모리 3사는 HBM 수요확대에 맞추어 Capa 확대에 집중하고 있으며, SK하이닉스는 HBM 생산의 바틀넥인 TSV 공정 생산라인 확대에 집중하고 있음.

 

16) SK하이닉스는 24년 전체 D램 Capa에서 HBM이 차지하는 비중이 15~20%로 확대될 것으로 발표했으며, 시장 선점으로 빠른 실적 성장이 기대됨.

 

17) 삼성전자는 SDC 천안 사업장을 인수하여 HBM 생산라인을 구축하고 있으며, 현재 1조원 규모의 관련 장비를 발주했고 23년 3분기 실적 컨콜에서 24년 HBM Capa를 전년대비 +2.5배 확대한다고 밝혔음.

 

18) 마이크론 역시 1bnm 기반 HBM3E 생산을 위해 대만 타이중시 제 4공장을 완공하고 24년부터 본격적으로 엔비디아에 HBM을 공급할 전망이며, 메모리 3사의 HBM 시장 확보를 위한 Capa 경쟁이 본격화되고 있음

 

19) 24년 HBM 시장과 관련한 우려는 메모리 3사의 HBM 경쟁심화에 따른 판가 하락이며, 23년 글로벌 DRAM capa 중 HBM의 capa는 전체비중의 8%였지만, 24년 HBM capa는 전체비중의 17% 로 전년대비 +2.2배 확대될 전망임.

 

20) 그러나 HBM capa 확대에 따른 가격 하락의 폭이 제한적인 수준일 것으로 판단되며, 이는 투입되는 웨이퍼 대비 완성되는 HBM 칩의 개수가 상당히 적기 때문임.

 

21) 24년부터 본격 생산될 1bnm 기준 DDR5의 넷다이는 약 1,500개인 반면 HBM 넷다이는 500개 그대로 유지될 전망이며, 결국 1bnm 기준 DDR5 대비 HBM의 다이 패널티는 -70% 수준임.

 

22) 동일 capa로 제작 시 DDR5를 10개 만들 때 HBM은 3개밖에 만들지 못한다는 의미이며, 따라서 HBM의 공급의 확대가 제한적일 수밖에 없음.

 

23) 또한 HBM은 기존 DRAM 생산 전공정과 더불어 TSV 공정을 위한 추가 설계, TSV 식각 공정, 적층을 위해 칩을 더욱 얇게 깎기 위한 그라인딩 공정, 각 칩들을 8~12개로 적층하는 본딩 과정 등을 추가로 거치며 많은 불량품들이 발생됨.

 

24) 현재 HBM의 생산 수율은 약 50~60% 수준이며, 이는 만들어지는 2개의 HBM 중 1개는 판매하지 못하는 수준으로 공급업체의 공격적 capa 증설에도 불구하고 25년까지 HBM 시장내 초과 수요 상황은 계속될 전망임.

 

25) 24년부터 HBM은 공급사 전체 매출의 15~20%를 차지하는 또 하나의 제품군으로 자리 잡을 전망이며, 이는 공급사가 신규 투자하는 capex 상당 부분이 HBM capa 확대에 투입된다는 것을 의미함.

 

26) 또한 일부 레거시 라인은 HBM 라인으로 전환될 것이며, 결국 HBM 시장 확대는 HBM 이외 DRAM 제품군들의 capa와 공급 축소를 유발하며 HBM을 제외한 나머지 제품군들의 가격 회복을 더욱 촉진할 전망임.